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BMSC-CM通过抑制Notch1信号通路减轻H_2O_2诱导的神经干细胞凋亡

安徽医科大学学报 2018 06 v.53 845-850     字体:

基金项目: 安徽省自然科学基金(编号:1508085MH152)

作者:牛杨;申才良;宋旆文;刘晓颖;

关键词:骨髓间充质干细胞条件培养基;;神经干细胞;;凋亡;;氧化应激;;Notch信号通路

DOI:10.19405/j.cnki.issn1000-1492.2018.06.005

〔摘 要〕 目的探讨骨髓间充质干细胞条件培养基(BMSCCM)对氧化应激损伤的神经干细胞(NSCs)的保护作用,以及Notch1信号通路在其中所发挥的作用。方法通过使用过氧化氢(H_2O_2)来模拟氧化应激环境,采用流式细胞仪检测NSCs的凋亡率。Western blot法检测Notch1蛋白、Hes1蛋白、含半胱氨酸的天冬氨酸水解酶3蛋白(Caspase-3)、Caspase-9、Bcl-2相关蛋白(Bax)蛋白和B细胞淋巴瘤蛋白2(Bcl-2)的表达量。结果结果表明,BMSC-CM可以降低H_2O_2引起的氧化应激环境的损害。BMSC-CM可以抑制Notch1信号通路,提高神经干细胞的存活率。结论 BMSCCM可以通过抑制Notch1信号通路来中和氧化应激损伤对NSCs细胞凋亡的影响。